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电子元器件详细资料 » IC[19059] » FDC6401N
型号:FDC6401N类别:FET - 阵列制造商:Fairchild Semiconductor
封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C70 毫欧 @ 3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs4.6nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds324pF @ 10V
功率_最大700mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装6-SSOT
包装Digi-Reel®

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市集创讯科技有限公司吴小姐0755-83244680/82865294
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
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